值得一提的是，配电原位光谱学可以作为一种重要的技术来解密真正的活性位点，提供了深入了解电催化反应过程的原子水平。

柜市【图文简介】图1两类HDP的电子结构以及两种典型晶界的结构a)ABO3和A2B1+B3+XVII6钙钛矿的晶体结构。因此，场前亟待了解HDP中低能晶界的电子特性以及其如何影响HDP的光电和器件性能。

图3第I类HDP中不利晶界处缺陷(及复合物)的形成a)Cli掺入后，展需具有Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构，而体相态由阴影区域突出显示(下同)。【成果简介】近日，求分清华大学材料学院柳百新院士课题组(第一单位)等利用第一性原理计算，求分发现一些特定种类的晶界由于其较低的形成能而很容易在多晶HDP中出现，而在其他传统钙钛矿材料中晶界的形成能往往较高。配电f)Cli掺杂Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6能带示意图。

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展需用于缺陷计算的三个代表性化学势点A-C在图4中用黄色圆圈表示。

求分发现通过特定的本征缺陷或者缺陷复合物的引入可以分别有效消除第II类和第I类HDP晶界中的深能级缺陷。密度泛函理论计算（DFT）利用DFT计算可以获得体系的能量变化，配电从而用于计算材料从初态到末态所具有的能量的差值。

吸收光谱可以利用吸收峰的特性进行定性的分析和简单的物质结构分析，柜市此外还可以用于物质吸收的定量分析。场前该项研究也为高性能富锰正极拓宽了其在电池领域的新的应用。

通过在充放电过程中小分子蒽醌与可溶性多硫化锂发生化学性吸附，展需形成无法溶解于电解液的不溶性产物，展需从而实现对活性物质流失的有效抑制，显著地增加了电池的寿命。研究者发现当材料中引入硒掺杂时，求分锂硫电池在放电的过程中长链多硫化物的生成量明显减少，求分从而有效地抑制了多硫化物的穿梭效应，提高了库伦效率和容量保持率，为锂硫电池的机理研究及其实用化开辟了新的途径。