南方图3.Ti负载g-C3N4氮空位催化的最低能量路径上的能量势垒（图中插入了五个过渡态的优化结构）。

电网调度地灾（b）B掺杂g-C3N4的示意图。云异运行（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。

备平（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。Z-schemep-n型异质结构的优点是光生空穴的传输比n-n型异质结构更快，台正这对提高光催化剂的光催化活性非常重要。DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、式投PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。

研究发现B掺杂g-C3N4是一种p型光催化剂，入试其光催化能力优于g-C3N4。g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的功函数和电荷密度差异，南方表明其电荷转移机制是Z-scheme电荷转移机制。

电网调度地灾文献链接：AhighefficientZ-schemeB-dopedg-C3N4/SnS2photocatalystforCO2reductionreaction:Acomputationalstudy（JMCA,2018,DOI:10.1039/C8TA07352J）。

云异运行（d）g-C3N4/SnS2的能带结构图。观察到分离的Ni单原子（较亮的点），备平红色圆圈标明。

台正（B）样品Fe/N-C的HAADF-STEM显微照片（比例尺：5nm）。介绍了各种改变电催化剂表面和体积结构的方法，式投包括杂原子掺杂，式投空位控制，晶界，金属间化合物，金属-金属氧化物和金属-碳界面结构，以及它们在提高效率和选择性方面的作用。

入试（B）缺陷和界面对催化剂表面的影响。南方非均匀电荷分布（右下）：缺陷限域电荷分布（左）与界面处电荷分布。